21.12.2023
В ИАиЭ СО РАН исследуют кристаллы GaSe:S и BaGa4Se7, а также развивают методы прямой лазерной записи антиотражающих структур на их поверхности
В Институте автоматики и электрометрии СО РАН изучили оптические свойства кристаллов селенида галлия (GaSe), легированных серой, и оценили потенциал их применения в телекоммуникационных системах следующего поколения, а также создали антиотражающие микроструктуры на поверхности нелинейно-оптических кристаллов.
