Флеш-память: запомнить всё!

В статье главный научный сотрудник Института физики полупроводников СО РАН, д.ф-м.н. В.А. Гриценко – известный в мире специалист в области физики диэлектрических плёнок и флеш-памяти - рассказывает о флеш-памяти, которая работает благодаря диэлектрикам, имеющим низкую проводимость и обладающим эффектом памяти. Оксид (SiO₂) и нитрид (Si₃N₄) кремния – два ключевых диэлектрика, на которых и основаны приборы кремниевой микроэлектроники. Но их полезные свойства не проявились бы без так называемых ловушек. Совместно с ведущим научным сотрудником Института автоматики и электрометрии СО РАН д.ф-м.н. К.А. Насыровым было установлено, что проводимость нитрида кремния не описывается широко принятой во всем мире моделью ионизации ловушек по механизму Френкеля.

Подробнее...

Соболевский Константин Михайлович. 20.03.2017

Соболевский Константин Михайлович

03.06.1927 – 19.03.2017

19 марта 2017 года ушёл из жизни один из первых сотрудников Института, участник Великой Отечественной войны, учёный секретарь Института (1974–1992)

Соболевский Константин Михайлович.

Коллектив Института выражает глубокое cоболезнование родственникам и друзьям покойного.
Скорбим о тяжёлой утрате.

Прощание состоится в фойе Института 22 марта в 14:20.
Отправление транспорта от Института – по окончании церемонии прощания (15:00).
Поминальный обед – в столовой Института.

170315-lektoriy-1 15.03.2017

Лекторий «От проблем фотоники к реальным технологиям!»

15 марта состоятся лекции в рамках совместного лектория лаборатории экспериментальной физики НГУ, Института автоматики и электрометрии СО РАН и Института лазерной физики СО РАН «От проблем фотоники к реальным технологиям!»

Ультрахолодные атомы и их применения в науке и технике
Лекцию читает д. ф.-м. н. Олег Николаевич Прудников, в.н.с. ИЛФ СО РАН

Как померить с помощью оптоволокна температуру?
Лекцию читает к. ф.-м. н. Иван Александрович Лобач, с.н.с. ИАиЭ СО РАН

Лекции состоятся 15 марта (среда) в 16:20, ауд. 204 главного корпуса НГУ (ул. Пирогова, д. 2)

Подробнее...