21.03.2017
Флеш-память: запомнить всё!
В статье главный научный сотрудник Института физики полупроводников СО РАН, д.ф-м.н. В.А. Гриценко – известный в мире специалист в области физики диэлектрических плёнок и флеш-памяти - рассказывает о флеш-памяти, которая работает благодаря диэлектрикам, имеющим низкую проводимость и обладающим эффектом памяти. Оксид (SiO2) и нитрид (Si3N4) кремния – два ключевых диэлектрика, на которых и основаны приборы кремниевой микроэлектроники. Но их полезные свойства не проявились бы без так называемых ловушек. Совместно с ведущим научным сотрудником Института автоматики и электрометрии СО РАН д.ф-м.н. К.А. Насыровым было установлено, что проводимость нитрида кремния не описывается широко принятой во всем мире моделью ионизации ловушек по механизму Френкеля.