Материалы ЦКП
6. Комплекс микроструктурирования поверхности оптических материалов
Ответственный:
д. т. н. Корольков Виктор Павлович,
тел.: (383) 3333-091; факс: (383) 3333863;
e-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
Общая характеристика:
Экспериментальный комплекс микроструктурирования поверхности оптических материалов обеспечивает возможность напыления покрытий, формирование микрорисунка фотошаблонов, микроструктуры рельефно-фазовых оптических элементов на поверхности оптических подложек.
Комплекс позволяет изготавливать фотошаблоны общего назначения, бинарные и многоуровневые дифракционные оптические элементы, конформальные корректоры аберраций лазерных кристаллов, травить кварцевые подложки на глубину до 5 мкм, напылять плёнки хрома и меди на подложки диаметром до 350 мм, изготавливать экспериментальные образцы прецизионных подложек, линз и призм, осуществлять резку оптических кристаллов.
Состав:
- Установка магнетронного напыления металлов АТС-220ОН;
- Установка реактивного ионного травления Plasmalab 80Plus;
- Круговая лазерная записывающая система CLWS-300IAE;
- Чистая комната участка фотолитографии с комплексом приборов микроскопического и профилометрического контроля;
- Оптический участок с комплексом технологического и метрологического оборудования по изготовлению уникальных оптических элементов.
  
5. Комплекс прецизионного прототипирования
Ответственный:
Кожевников Михаил Леонидович
тел.: (383) 330-89-17;
факс: (383) 3333863;
e-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
Общая характеристика:
Комплекс прецизионного прототипирования проводит полный цикл работ по изготовлению опытных образцов и опытных партий изделий по чертежам заказчика. Поддержка собственной базы экспериментального производства сделала ЦКП ИАиЭ СО РАН незаменимым партнёром по разработке приборов и технологического оборудования для ряда российских научно-производственных организаций, ограниченных в возможностях использования импортного оборудования. Сосредоточение современного технологического оборудования в ЦКП при академическом институте в сочетании с высочайшей квалификацией операторов создаёт центры компетенции, которые становятся базой для делового сотрудничества с российскими научно-производственными предприятиями и помогает им перейти на новые технологии и выпуск новой продукции.
Состав комплекса:
- Обрабатывающий центр с ЧПУ ВХ300А (Pinnacle Machine)
- Станок круглошлифовальный MG1432E/1000
- Станок токарный с ЧПУ НТС45150
- Станок универсальный заточной "РР-50+50D+50F"
 
4. Комплекс для исследований материалов методами терагерцовой спектроскопии
 Ответственный:
к. ф.-м. н. Анцыгин Валерий Дмитриевич,
тел. (383) 3308453; факс: (383) 3308878;
e-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
Общая характеристика:
Широкополосная терагерцовая (ТГц) спектроскопия предназначена для:
- исследования полупроводниковых материалов и структур, в том числе систем пониженной размерности, без нарушения их функционирования;
- бесконтактных неинвазивных исследований конформационных превращений биологических объектов под влиянием окружающей среды и при взаимодействии друг с другом;
- изучения внутренней структуры и идентификации сложных биологических молекул (аминокислот, полипептидов, белков, ДНК и РНК);
- неинвазивной диагностики, в т. ч. в медицине;
- обнаружения взрывчатых, наркотических и других опасных веществ.
Терагерцовые спектрометры с накачкой и регистрацией ТГц-излучения на основной (λ=1550 нм) и второй гармонике (λ=775 нм) импульсных (~100 фс) эрбиевых волоконных лазеров. Генерация терагерцового излучения осуществляется за счёт эффекта оптического выпрямления или эффекта Дембера, а регистрация напряжённости терагерцового поля - поляризационно-оптическим методом.
Спектрометры обеспечивают измерения отражения и пропускания
- спектральный диапазон: 0,1-2,5 ТГц
- спектральное разрешение ≤10 ГГц
- динамический диапазон
- амплитуды терагерцового поля ≥1000
- длина волны лазера накачки, нм 775, 1550
- длительность лазерного импульса, фс 100
|
